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热丝CVD法在单晶硅衬底上低温外延生长Si和Ge薄膜的研究
采用热丝CVD法在单晶Si衬底上进行了Si和Ge薄膜的低温外延生长,用XRD和Raman谱对其结构性能进行了分析。结果表明:在衬底温度200℃......
期刊
热丝CVD
低温外延
单晶Si衬底
Si膜
Ge膜
hot-wire CVD
low temperature epitaxial technique
c-S
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