单晶铝相关论文
施加磁场能改善固态金属的力学性能,但性能改善的机制还不清楚.为研究交变磁场和静磁场对固态金属力学性能的影响,分别将单晶铝在......
目的 实现材料高效去除,避免亚表层严重滑移,以及改善已划擦区表面形貌质量.方法 基于EAM和Morse混合势函数,采用分子动力学法对刚......
面心立方金属通常具有较弱的正应变速率敏感性,即流变应力随着应变速率的增加而增加。近年的研究表明,随着晶粒尺寸或单晶样品尺寸......
银是电和热的优良导体,具有优异的信号传输和热传导性能,而铝同样作为导体,具有价格便宜、材质轻、导电性能好等特点,两者广泛应用......
晶体塑性变形是材料领域热心探索的研究课题,研究单晶体塑性变形机理是讨论材料塑性变形行为的基础和先导。目前,对单晶材料在准静......
对直径为4 mm的热型连铸铝单晶线材的室温拉伸性能和循环弯曲性能进行了测试,并对其断口微观形貌进行了观察。结果表明:与多晶铝试......
用第一原理计算方法,计算并分析了等压(10)条件下,500K至900K的温度范围内,原子氧在单晶铝(001)、(111)面吸附的吸附能的变化情况......
就单晶铜(110)和单晶铝(110)进行精细的微压痕实验，主要针对近年来所观察到的尺度效应象进行研究，并通过实验研究，进而对塑性应变梯度......
该文以分子动力学模拟为研究手段,对单晶铝的拉伸变形过程进行仿真实验.并对若干力学行为的仿真结果进行微观解释.该文首先介绍了......
本文采用基于第一原理的计算方法研究了原子氧在单晶铝不同取向表面上的吸附.计算结果表明,氧在单晶铝(001)面稳定的吸附位为洞位......
利用强流脉冲电子束技术对单晶铝进行了辐照,并利用透射电镜对强流脉冲电子束诱发的空位簇缺陷进行分析.实验结果表明,强流脉冲电......
运用LAMMPS中的Fortran语言自编程功能建立了单晶铝柱在拉伸载荷作用下的分子动力学仿真模型,采用镶嵌原子势（EAM）势函数模拟了室温......
基于分子动力学的理论建立了单晶铝的纳米切削仿真模型,比较研究了在刀具未磨损和刀具磨损条件下对切削过程的影响。研究表明:相比......
使用纳米硬度计对单晶铝进行了纳米压痕试验,利用原子力显微镜对压痕形貌进行扫描并计算硬度值,重点观察和分析了纳米级条件下单晶......
利用Nadezhda-2强流脉冲电子束（HCPEB）装置分别在1J／cm^2和4J／cm^2能量密度下对单晶铝进行了辐照处理．1J／cm^2能量密度下，表面处于未熔化......
利用纳米压痕技术对单晶铝作压痕试验，获得载荷-压深的加载和卸载曲线。根据Oliver-Pharr方法求出压头与测试材料之间接触表面的投......
本文采用背散射电子衍射(EBSD)及透射电镜(TEM)技术对拉伸变形单晶铝([110]方向平行于拉伸轴)的显微组织进行了表征,直接对比了两......
基于嵌入原子势(EAM)函数,利用分子动力学方法对单晶铝在静高压下的熔化进行了计算。利用能量体积法、径向分布函数、均方根位移分......
在静磁场中对单晶铝进行了沿<100>、<110>和<111>晶向的拉伸试验,目的是揭示晶体取向对其磁致塑性的影响。结果表明:与无磁场拉伸......
为探究单晶铝微尺度铣削的表面质量,采用直径为0.4mm的微铣刀对单晶铝进行三因素五水平的微尺度铣削正交实验。首先,通过极差分析......
运用分子动力学模拟技术建立单晶纳米切削模型，对纳米切削过程进行模拟，从分子间作用力和位错的角度对切屑形成过程和纳米加工表面的......
用分子动力学方法模拟不同晶向单轴加载过程中,单晶铝中微纳米孔洞（约1.6 nm）的生长及周围区域的变形过程。为研究晶向对孔洞生长的......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
采用纳米压入法对单晶铝(100)、(110)、(111)晶面进行力学性能分析,结合实验得到荷载-位移曲线,利用连续刚度技术获得单晶铝的弹性......
本文报道用自组织法在硅片上制备纳米多孔氧化铝列阵的技术．在Ｐ型〈１００〉晶向，电阻率为０．５Ω·ｃｍ的清洁硅片上，用电子束蒸发一层４００ｎｍ厚的９９．９９％高纯铝膜，然......
金属在熔化前后微观结构会发生突变,微观结构的变化必然会导致一些宏观性质发生改变。由于金属铝在我们的日常生活和工业生产中有......
建立了单晶铝微构件拉伸过程的分子动力学仿真模型,利用Morse势函数对微构件的拉伸过程进行了仿真计算.从能量演化的角度解释了拉......
金属材料微观损伤的研究对于人们认识材料的性质、进行材料合成以及工程应用都有着至关重要的作用。随着计算机技术的飞速发展,分......
