单粒子瞬变相关论文
对于数字集成电路来说,其实现各种功能,都离不开稳定可靠的时钟,基于此通常会使用锁相环来生成稳定时钟,因此设计高性能锁相环是很......
从2阶闭环系统的角度出发,推导并分析了单粒子瞬变(SET)电流在密勒运算跨导放大器(OTA)中的传导效应。通过理论分析,发现OTA两级跨......
分析了一款基于0．35μmPDSOI工艺的锁相环（PLL）电路的抗单粒子瞬变（SET）能力，利用相位抖动为表征参数评估SET对PLL电路的影响与产生影响......
压控振荡器（VCO）是锁相环（PLL）中对于单粒子瞬变（SET）最为敏感的部件之一。基于180mm体硅CMOS工艺设计了一款经典的对称负载结构差分VCO......
在对抗单粒子效应技术研究的基础上，构造了一种改进型的抗单粒子翻转和单粒子瞬变的主从型边沿D触发器。该D触发器在不影响设计流程......
基于对称负载压控振荡器（VCO）的单粒子瞬变（SET）失效机理,应用设计加固（RHBD）技术分别改进了偏置电路和环形振荡器,设计和实现了一款0.18......
为分析电荷泵中不同频率单粒子瞬变（SET）电流对锁相环（PLL）的影响，采用频域分析法从增益和带宽的角度研究了环路参数与SET响应的关系。......
为提高辐照环境下振荡器工作的可靠性,提出一种交织结构的抗辐照设计加固压控振荡器(Voltage-Controlled Oscillator,VCO),该VCO由......
空间辐射环境中的锁相环在SET作用下，将产生频率或相位偏差，甚至导致振荡中止，造成通信或功能中断。压控振荡器是锁相环中的关键电路，......
航天、航空和核能工业的蓬勃发展使得电子系统抗辐射的能力要求逐渐提升。在频率合成和时钟恢复方面,锁相环由于其良好的可集成性,......
采用三维数值模拟的方法对比研究了单个NMOS晶体管和反相器链中的单粒子瞬变(single event transient,SET)电流脉冲,发现深亚微米......
针对90 nm CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)工艺,采用三维数值模拟方法,研究了反相器中NMOS(Negative channel-Met......
<正>意法半导体宣布其欧洲抗辐射航天用半导体产品组合新增四款获得QML V官方认证的放大器芯片。新产品的认证进一步巩固了意法半......
空间辐射环境对太空电子设备以及系统存在潜在的危害。在近几年，随着集成电路特征尺寸的减小，一种新型的单粒子效应的现象开始被国内......
