随着我国航天科技的飞速发展,空间应用抗辐射集成电路的研究已经成为学术界和工业界的关注重点。纳米工艺下,节点电容的降低和门延......

随着我国航天技术的飞速发展,空间集成电路抗辐照设计及相关辐照效应机理研究已成为学术界和工业界重点关注的问题。然而,纳米工艺......

针对90 nm CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)工艺,采用三维数值模拟方法,研究了反相器中NMOS(Negative channel-Met......

通过三维器件模拟仿真,研究了基于CMOS 0.18μm工艺下标准条形栅和环形栅结构MOS晶体管的单粒子瞬态响应.研究结果表明,单粒子轰击......

介绍了一种65nm双阱CMOS工艺设计的六管SRAM单元的抗辐射性能。通过三维有限元数值模拟的方法,分析了SRAM单元的单粒子瞬态效应在N......

随着集成电路工艺的发展,传统平面CMOS器件随着尺寸的缩小,短沟道效应、源漏电荷共享和亚阈值特性衰退等等对器件的电学特性影响越......