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双层侧壁保护相关论文

双层侧壁保护的硅深槽刻蚀工艺技术研究

本文介绍一种先进的ICP硅深槽刻蚀工艺,在刻蚀周期中引入少量的O2,形成由CFx聚合物淀积和氧离子幅照产生的双层保护层,强烈保护硅......

会议

ICP 硅双层侧壁保护各向异性刻蚀

双层侧壁保护的Si深槽刻蚀技术

提出了一种先进的ICP Si深槽刻蚀工艺。在"Bosch"工艺的基础上加以改进,以SF6/O2作为刻蚀气体,C4F8作为侧壁钝化气体,通过在刻蚀过......

期刊

感应耦合等离子体 “Bosch”工艺硅双层侧壁保护各向异性刻蚀

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