双扩散MOS晶体管相关论文
本文提出了一种新型的LDMOS/LIGBT混合结构.它兼具LIGBT的驱动能力强和LDMOS的速度快的特点,并且衬底电流小,能很好的抗闭锁.利用......
分析了一个用阱作为耐高压漂移区的LDMOS的导通电阻，提出了带有场极板的高阻漂移区导通电阻的计算公式，改进了双扩散沟道导通电阻的......
