双极效应相关论文
太空环境中含有大量的高能粒子,这些高能粒子的存在将对航天器的正常工作构成严重的威胁。当航天器中的半导体器件受到粒子的轰击......
0.5μm部分耗尽SOI MOSFET的寄生双极效应严重影响了SOI器件和电路的抗单粒子和抗瞬态γ辐射能力。文中显示,影响0.5μm部分耗尽SO......
利用4种不同线性能量转换值的重离子对一款65nm三阱CMOS静态随机存储器(SRAM)进行重离子垂直辐照实验,将多位翻转图形、位置和事件数......
随着微电子集成电路技术的不断进步,MOSFET的特征尺寸不断按比例减小,电路集成度不断提高。但是随着晶体管尺寸的缩小,器件的短沟......
基于3维TCAD器件模拟,研究了90nm CMOS双阱工艺下STI对电荷共享的影响。研究结果表明:增大STI深度能有效抑制NMOS电荷共享,且550nm......
期刊
单一Yb元素掺杂能有效提升α-MgAgSb室温热电材料的热电性能,但Yb元素在α-MgAgSb中较小的固溶度严重限制性能的进一步提升。本文......
提出了一种新型隧穿场效应晶体管(TFET)结构,该结构通过在常规TFET靠近器件栅氧化层一侧的漏-体结界面引入一薄层二氧化硅(隔离区)......