吸除相关论文
从本例报告中,应吸取以下教训:①对中孕引产,尤其是一次未获成功者,必须注意无菌操作,防止感染。②如遇感染,除及时应用广谱抗菌素......
在机器制造业中广泛地使用著压缩空气。用它在加工零件时紧固卡具,用它来带动钻床、汽锤、起重机、造型机、振荡器、喷砂机等设备......
我厂机修车间铸造小组,在厂党总支和车间党支部的领导下,利用废旧材料自制熔炼炉熔炼杂铜屑(多系铸造黄铜切屑,轻磁铁吸除铁末)。......
气候变暖和化石能源日益枯竭促使人类大规模开发利用太阳能。当前硅基太阳能电池占据光伏市场绝大部分份额。冶金法制备太阳能级硅......
抽吸术广泛用于治疗脂肪堆集症,近年治疗范围扩大至乳房肥大[1]、男性乳房发育症[2]、腋臭[3]等。作者用自行研制的高频电凝旋切吸......
医院真空负压吸引系统以真空泵作为真空获得设备,以真空罐为真空存储设备,利用真空技术吸除病人体内的痰、血、脓及其他污物,需要......
植入后仍可吸除皮质的改良囊袋张力环改良的新型囊袋张力环(CTR),型号为IOC的Hender- son囊袋张力环(Morcher)(图1),目前正在接受......
目的探讨扭动模式超声乳化白内障吸除术的有效性和安全性。设计病例系列研究。研究对象年龄相关性白内障患者印例(87眼)。方法按就......
肺吸入性损伤存活病人,远期临床和功能评价的报告并不常见。作者报告1例有气管、支气管明显烧伤的生存病人的远期功能测定结果。......
用CUSA于55例脑肿瘤手术,其工作原理是利用超声振动将肿瘤组织捣碎并乳化,然后吸除。很适用于颅底部脑膜瘤、听神经瘤,脑深部胶质......
非凡吸引力源于高品我们的理念:作为专业的磁电设备制造商,我们始终专注于技术的持续创新和品质管理的精益求精;作为您值得信赖的......
系统介绍了德国巴伐利亚化学公司设计反舰、空地以及空空导弹用的超声速进气道的技术和相关的研究结果,包括进气道的选型、设计马......
针对一种起动马赫数Ma=2.0、设计马赫数Ma=3.0的超声速进气道,首先结合等激波强度和数值模拟的方法,分析了进气道各几何参数间的相......
本文提供一种纯化B淋巴细胞的较好的方法。作者用E玫瑰花形成试验除掉T细胞。予先将脾细胞悬液用磁力吸引的方法,吸除吞噬或粘着......
实验证明,经双吸除和本征吸除两种工艺处理后,硅片的机械强度有较大增加。从而可以认为硅片中引入的高密度层错和位错网络将对硅片......
四逆汤是祖国医学中有名的古方之一。为有效方便地用于临床,实验研究了滴丸的制剂工艺。结果确定工艺为:选取基质为PEG6000(或4000......
在試制“右旋糖酐注射液”时(Dextran solution)遇到了热原問題。採用活性炭吸除,效果不大;即使把活性炭的用量加到3%,仍未能使成......
乳酸鈉注射液的制造与一般針剂相同,惟有二个特出的問題,茲將我厂長期生产的經驗介紹如下: 乳酸鈉注射液的pH有时表現得極不稳定,......
脂肪瘤是临床上比较常见的良性肿瘤,通常好发于皮下,常见于颈、肩、背及四肢等处,可以呈单发或多发.通常单发者可以手术切除,而多......
目前,我国大中城市马路、广场等处的垃圾主要靠人工清扫,工人劳动强度大,作业效率低。为了解决这个问题,山东省泰安市环卫特种车辆......
关于有视力的晶状体异物的治疗问题,国内报导多倾向于早期手术取出异物。我院自1961～1981年共收治晶状体异物38例38眼,占我院眼内......
患者翟××男24岁工人未婚住院号281078 自幼双眼视力障碍。5岁时,经某医院眼科行右眼先天性白内障皮质吸除术。术后恢复部分视力......
应用杂质吸除技术,以1Ω—cm P型Φ60mm复拉单晶硅制作N+—p—p+铝背场太阳电池,在AM1.5条件下,全面积光电转换效率在10％以上(有效......
请下载后查看，本文暂不支持在线获取查看简介。
Please download to view, this article does not support online access to view......
我们知道,Si中的缺陷(如位错、层错、滑移线等)和某些微量杂质(Cu、Au、Fe等),对器件性能和成品率的影响是很大的。而最坏的情况......
众所周知,硅片上的杂质金以及其它重金属元素对器件的性能有严重的危害,为此各国科学家都设法在制备器件前或制备过程中,将硅片上......
一、引言 在半导体器件和集成电路制造过程中,金属杂质的沾污是造成器件性能低劣,成品率低和可靠性差的重要原因之一。因此,消除......
一、引言 原始硅中的金属杂质,以及在器件工艺中由试剂、容器、炉管等所引入的杂质,它们在器件工艺的高温过程中极易发生聚集,尤......
引言集成电路制备中,硅片及界面处,金属杂质的存在是造成集成电路成品率低,功能和可靠性差,易失效的重要原因之一。所以消除金属......
硅中金属杂质的原子半径失配较大,扩散系数也较掺杂元素高几个数量级,再加它们的溶解度随温度剧烈变化,这些促使它们在硅中极易发......
本文研究了I~2L和线性双极电路内吸除工艺对电路性能的影响。这种吸除技术是在工艺过程中通过控制氧在硅片中的沉淀而引入的。已测......
消除芯片工作区中的有害杂质和缺陷,对于提高半导体器件和集成电路的性能或合格率具有非常重要的意义。国内外均在努力发展各种吸......
采用双重吸杂硅片作为衬底材料,应用于CCD器件的研制工作已获得良好的效果。它使器件的暗电流明显下降,基本上消除了暗电流尖峰,同......
先进的CMOS器件工艺采用硅外延片改进了抗闭锁性能。可是,用来改进抗闭锁性能的重掺杂衬底也会降低外延层质量。通过外延前后的本......
本文研究了直拉硅单晶(CASi)中子嬗变掺杂(NTD)的可行性、径向电阻率均匀性以及NTDCZSi内吸除效应的机理,证明了NTDCZSi是半导体器......
我们用有意地进行了金属沾污的硅片,采用缺陷腐蚀和二次离子质谱测定法,研究了干O_2和O_2/HCl氧化过程中,二氧化硅/硅界面附近的金......
目的 对劈核乳化白内障手术全过程进行阶段分解,旨在明确不同手术阶段后囊膜破裂的发生原因及分布规律,强化对破裂高发阶段的后囊......
研究了Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te晶体经吸除工艺处理前后的透射光谱,发现样品经吸除处理后的光吸收发生明显变化,分析认为因吸除工艺降低......
