图形漂移相关论文
图形畸变和漂移是外延工艺中常见的缺陷.除此之外,发现图形台阶高度也是重要的参数,它可以简单直接地表明是否图形完整.本文从理论......
200 mm图形片外延工艺随着国内8英寸(1英寸=25.4 mm)生产线的发展而逐渐成熟起来.是硅外延发展的趋势之一.本文讨论通过气流设......
外延淀积工艺中发生的图形漂移和图形畸变会导致外延后加工层次无法和外延前留下的对位标记实现准确对位甚至无法对位的情况，本......
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给出了图形漂移的定义,综合介绍了埋层外延中图形漂移的监测方法,其中包括常规的磨角染色法和无损伤测量垂直和平行于参考面两个方......
<111>硅外延过程中图形漂移是影响外延质量的一个重要参数,在IC制造过程中,由于外延后的图形漂移使得后续光刻图形对偏情况时有发......
利用PE2061s型常压桶式多片外延炉,在P型双埋层图形硅衬底上沉积生长高均匀性低缺陷的N型外延层。通过研发衬底背面杂质掩蔽、附面......
