多发射极相关论文
本文提出了一种有效的方法-采用多发射极指分段结构来增强功率SiGe HBT的热稳定性,并将传统的非均匀条间距技术与分段结构设计相结......
本文对多发射极条(指)微波功率GeSi HBT进行了设计、制造,并对电流处理能力进行了研究。实验结果表明,对20-80指的GeSi HBT,发射极......
随着功率SiGe HBT越来越多地被应用于功率放大器、射频/微波通信和卫星通信等领域,其自身的热稳定性变得尤为关键。提高功率SiGe H......
本文讨论了模拟器件中的某些电路技术,包括:①、多发射极技术;②、基准控制放大器;③、带隙基准。......