多栅相关论文
随着器件尺寸的不断缩小,对更大驱动电流和更有效抑制短沟道效应器件的研制成为研究的热点,SOI多栅全耗尽器件由于对沟道更好控制......
ATDF公司和HPL公司最近展示了面向多栅场效应晶体管(MuGFET)的45nm技术节点上的工艺能力，MuGFET这种先进的半导体器件最终可能取代......
论述多栅开关的结构和特点.开关设计中需要考虑的一个重要因素是提高开关功率处理能力的同时减小插损,多栅开关由于其特殊的结构,......
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论述了多栅开关的结构和特点，针对多栅开关器件结构设计中的参数栅栅间距的选取作了分析，确定当栅栅间距等于源漏间距对栅数的平均值......
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