大角度会聚束电子衍射相关论文
该文用大角度会聚束电了衍射(LACBED)方法研究KO.6TiO晶须增强Al基复合材料界面附近的残余应变场.由于KO.6TiO晶须和Al基体热膨胀......
本论文分两部分：
第一部分，综合运用大角度会聚束电子衍射方法，有限元模拟和动力学会聚束电子衍射模拟研究了应变硅PMOSFET沟道......
本文报道了利用有限元计算和动力学大角度会聚束电子衍射模拟的方法研究了应变硅场效应晶体管沟道中的应变分布.沟道压应变是利用......
期刊
本文报道了利用有限元计算和动力学大角度会聚束电子衍射模拟的方法研究了应变硅场效应晶体管沟道中的应变分布。沟道压应变是利用......
本文报道了应变硅p型金属氧化物半导体场效应晶体管（PMOSFET）沟道中的局部应变的大角度会聚束电子衍射表征。由于源和漏极区预非晶化......
