用磁控反应溅射（ＲＳ）法制备出ＧｅｘＣ１－ｘ薄膜，它的折射率可在１．６～４．０之间变化，设计出没厚度的ＧｅｘＣ１－ｘ均匀增透膜 非均匀增透膜系，并在ＺｎＳ基片上制备出ＧｅｘＣ１－ｘ均匀增膜系，设计结......