应变SiGe材料相关论文
随着CMOS器件的特征尺寸进入纳米级,传统的CMOS越来越难以按照原来速度等比例缩小,因此探索新型器件材料、研究新型器件结构已经成为......
应变SiGe材料具有空穴迁移率高、带隙可调等优点,是延续摩尔定律最有潜力的新技术。本文基于应变SiGe量子阱PMOS器件结构与特点,建......