阈值电压模型相关论文
结合应变硅金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)结构,通过求解二维泊松方程,得到了应变Si沟道的电势分布,并据此建立了短沟道应变硅N......
生长在驰豫SiGe层上的Si产生张应变,使载流子的迁移率显著提高,因此应变Si NMOSTET可以得到非常好的性能。本文在讨论分析了应变......
在综合考虑短沟道效应和漏致势垒降低效应的基础上,通过求解泊松方程,建立了小尺寸Si基Ge沟道pMOSFET阈值电压模型,其模型计算值......
本文基于三维泊松方程的求解,建立了一个小尺寸MOS器件的表面势的三维解析模型和新的阈值电压模型。和以往的一维或二维模型相比,本......
本文在考虑了AlxGa1-xN/GaN异质结压电和自发极化效应的基础上,通过求解泊松方程,建立了AlxGa1-xN/GaN量子阱沟道中电子面密度和阈......
基于双栅MOSFET的阈值电压模型,从理论上推导出沟道区杂质数统计涨薄引起阈值电压变化的标准偏差.利用二维数值模拟研究了杂质涨薄......
应变SiGe材料具有空穴迁移率高、带隙可调等优点,是延续摩尔定律最有潜力的新技术。本文基于应变SiGe量子阱PMOS器件结构与特点,建......
基于MOS器件的短沟道效应和漏致势垒降低效应理论,通过求解泊松方程,建立了表面Ge沟道pMOSFET的阚值电压模型.基于该模型对表面Ge沟道......
目前的Spice软件可以模拟Si器件及其电路,然而在功能强大的Spice软件中尚没有应变Si/SiGe MOS器件的模型,因此,不能进行应变Si/SiG......
阈值电压是MOSFET的特别重要参数之一,阈值电压会直接影响到器件沟道的反型和器件的工作电压。对于小尺寸的器件来说,如果沟道掺杂过......
为得到适用于VLSI电路仿真的模型,本文从器件的物理机制出发,采用解析的方法,重点研究并建立了应变硅表面沟道N/P MOSFET和量子SiGe沟......