引上法相关论文
本文介绍了液相合成Nd:YVO4原料的制备,对单晶生长,掺杂分凝效应作系统研究,成功地生长出的大尺寸优质φ30～35×30mmNd:YVO4单晶且......
研究了用电阻加热引上法生长的铌酸钾锂晶体中组分离子的分布及其对晶体折射率和倍频性能的影响。
The distribution of componen......
本文报道了采用提拉法在不同加热系统中和不同生长气氛下进行的LiCaAlF6 晶体生长的实验 ,以探索高质量晶体的生长条件 ,并讨论了......
研究了Alexandrite,Nd:BEL和LNA激光晶体的生长工艺和晶体质量,生长出了优质大单晶,并进行了光谱和激光测试.......
我国平板玻璃行业近年来得到快速发展,并且取得令人瞩目的成绩,但也存在发展的弊端,应当采取相应对策加以解决。 一、我国引上法和......
浮法玻璃是在充满惰性或还原性气体的锡槽中成形的，锡槽中的气氛或锡液受到各种污染，致使在玻璃上下表面产生各种缺陷。本文着重介绍......
报导了用中频感应引上法生长Ｍｎ＾５＋；Ｂａ３（ＶＯ４）２晶体的实验呼结果，晶体主要解理面为（０００１）面，常见缺陷是沿生长中心轴的散射颗粒“芯”，指出了生长高质量高浓度......
本文着重对吸热玻璃槽子泡的成因及本厂槽子泡异常出现的原因从槽子料方面进行了分析讨论，对在实际工作中的试验，改进工作及取得的效......
本文综述我厂生产三机有槽生产线改造成为格法生产线的主要设计内容和施工情况，对如何利用原辅助生产设施做了较为详细的叙述。......
引砖是无槽引上及深池平拉工艺中一个重要的成形部件.生产过程中如发生引砖严重变形或断裂时,有停产的危险.在没有预热条件的中小......
通过对有槽垂引上玻璃板根的凉，热边子分析，提出了子倒向的具体措施，实现凉这子的转换，达到养边和延长炉龄的目的，是吸槽引上生产中经常......
由于生产工艺条件的限制，作为有槽引上法，无论何种规格品种，存在掉炉和砸炉现象。如何减少上炉时间，提高停炉引上机单机日利用率，缩短非......
研究了引上法生长铒钇铝石榴石晶体的生长工艺。得到铒离子浓度为30～100at%,尺寸为φ(23～25)×(100～120)mm 的优质晶体。从铒离子......
本文报道了用硅钼棒电阻加热炉生长钽酸锂晶体的工艺条件，对晶体的透过率、双折射梯度、压电和声表面波等物理性能进行了测试，并研究......
本文介绍了钒酸钇（Ｎｄ＾３＋：ＹＶＯ４；ＹＶＯ４）剩料最多的固相和液相合成方法。使用该法合成的原料用提拉法生长出φ３０￣４０ｍｍ￣φ３５×４０ｍｍ的优质大尺寸单晶。剩料最多可以重......
在LiNbO3中掺进CeO2,MnCO3生长Ce:LiNbO3和Ce:Mn:LiNbO3晶体,晶体被极化和还原处理.X射线衍射仪测试晶体的晶格常数,采用UV-Spectr......
<正> 一、用气状况及节气方法目前,垂直引上平板玻璃生产的引上、耐火作业广泛使用气体燃料用于玻璃板烧边、燎裂、烧头及烧制槽子......
研究了用电阻加热引上法生长的铌酸钾锂晶体中组份离子的分布及其对晶体的折射率和倍频性能的影响。......
在SrxBal-xNb2O6 (SBN)晶体中掺进CuO和Co3O4,采用硅钼棒加热体,以Czochralski法生长了Cu:Co:SBN晶体.通过二波耦合光路测试了晶体......
用提拉法从熔体中生长了Ce:Fe:LiNbO3晶体，研究了Ce:Fe:LiNbO3晶体在633nm波段的体全息存储特性，对不同掺杂浓度的Ce:Fe:LiNbO3晶体......
本文结合作者生产、实验工作,介绍了使用TDL-J75型单晶炉,采用中频感应加热、铱坩埚引上法生长直径50～75mm、单晶重量3600g左右的YA......
<正>我们对掺钕钇铝石榴石(YAG:Nd)晶体的缺陷作了一些观察和分析工作,得到一些初步的结果,现分叙于下.一、光学不均匀性1.引上法......
测定了0.15M Na_2B_4O_7对 0.08M LaCI_3溶液滴定的 pH 曲线。当 pH=7.0—7.1时,沉淀出 La(BO_2)_3·xH_2O。用 NH_4OH 溶液调......
本文报道了用Ｇｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ方法生长Ｎｄ：ＧｄＶＯ４晶体，测量了该晶体的偏振吸收谱和荧光谱，表明晶体在８０８．５ｎｍ有吸收峰，其发现波长在１０６４ｎｍ。晶体中掺Ｎｄ浓度的原子分数为１．５６％的Ｎｄ：ＧｄＶＯ４的＾４Ｆ３／２荧光......
采用提拉法生长β－Ｚｎ３ＢＰＯ７简称ＺＢＰ）晶体。研究了生长工艺，用「２１０」方向的籽晶，获得了尺寸为３５ｍｍ×２０ｍｍ×１０ｍｍ的单晶，该晶体无色透明，不开裂，呈现发育完好的......
本文报道了用Ｅｒ２Ｏ３，ＢａＣｌ２·２Ｈ２Ｏ和ＮＨ４Ｃｌ直接合成新型激光上转换晶体Ｂａ２ＥｒＣｌ７的原料和单晶生长方法。差热分析（ＤＴＡ）测得其熔点为６４３．７℃。能谱分析（ＥＤＳ）结果显示Ｂａ：Ｅｒ＝２：１，扫描电镜（ＳＥＭ）晶体......
本文首次报道了利用倍频方向的籽晶生长ＧｄＣａ４Ｏ（ＢＯ３）３：Ｙｂ（ＧｄＣＯＢ：Ｙｂ）晶体，通过控制温场及生长速度可以得到高光学质量的晶体。分析了晶体的生长习性及孪晶的形成......
在ＬｉＮｂＯ３中同时掺入ＭｇＯ和Ｆｅ２Ｏ３，生长了Ｍｇ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体。该晶体的衍射效率达到８０％，且抗光致散射能力强，响应速度较快。以Ｍｇ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体作为全息关联存储的记录介质，记录图象清......
采用浮称自动等径技术提拉生长出〈001〉、〈110〉及〈111〉三种取向的Bi_(12)SiO_(20)单晶(简称 BSO)。尺寸达Φ35×65mm。文......
本文报道了Ｃｅ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯｅ晶体的生长，采用简并四波混频光路测试晶体相位共轭反射率、响应时间和相位共轭温度效应，在６３２．８ｎｍ和４８８．０ｎｍ波长的非简并四波混频中，获得......
本文研究引上法 Nd∶YAG 晶体形貌和晶体生长机理。曲柱面和曲锥面是晶体形貌和强制体系相互作用,或晶体生长和熔化相互作用所产生......
采用不同成分配比，以Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ法生长铌酸钾锂（ＫＬＮ）晶体，研究生长工艺和成分配比对ＫＬＮ晶体性能的影响。选用的轴向温度梯度为２８～３５℃／ｃｍ，晶体的旋转速度为５～１０ｒ／ｍｉｎ；晶体的......
采用提拉法生长β′-相掺钕钼酸钆晶体.在1000℃温度下烧结72h合成钼酸钆粉末样品.研究了生长工艺,拉速0.3～3mm/h,转速10～40r/min.沿......
本文通过对Ｎｄ：ＹＡＧ晶体掺质理论的分析，提出了提高Ｎｄ：ＹＡＧ晶体中Ｎｄ＾３＋离子浓度分布均匀性的技术途径，并对实验结果进行了讨论。实验结果表明，通过降低析晶......
用提拉法晶体生长工艺已成功地生长出正硅酸盐－Ｙ２ＳｉＯ５单晶体。使用设备是一台中频感应加热炉。文中讨论了高光学质量掺Ｅｕ离子Ｙ２ＳｉＯ５单晶体的生长工......
引上法生长高温氧化物晶体时，热腔中的气体对流状态由雷诺数（Ｒｅ）决定，气体对流传热由努赛尔数（Ｎｕ）决定。本文计算了几种常用气体的Ｒｅ，Ｎｕ和液面上的......
采用中频感应提拉法生长出掺杂浓度的原子分数高达２０％的Ｙｂ：ＹＡＧ晶体，探索了合适的晶体生长，退火工艺参数；研究了晶体中的杂质离子和色心；选用ＩｎＧａＡｓ半导......
首次报道熔体提拉法生长Ｃｒ：ＬｉＣＡＦ（Ｃｒ＾３＋：ＬｉＣａＡｌＦ６）晶体的生长工艺，研制出质量较好的晶体尺寸达φ２０￣２５×９０￣１２０ｍｍ。测定了晶体对８０９ｍｍ红外波段的吸收系数μ为１０＾－２量级，晶体中无ＯＨ＾－。......
用提拉法生长出铌酸锂钾（ＫＬＮ）晶体；探讨了ＫＬＮ晶体生长时开裂的主要原因；对钛宝石激光倍频获得蓝光输出。......
本文介绍了采用感应加热顶部籽晶法生长ＢａＴｉＯ３晶体的工艺技术。根据稳态引上法生长晶体的热平衡原理，设计了合理的生长装置，使得晶体能够在......
采用ＮａＣｌ－ＮａＯＨ掺杂，控制晶体中ＯＨ＾－的含量在１０８０ｐｐｍ，排除Ｋ＾＋，Ｌｉ＾＋等杂质离子的影响，调整适当的生长工艺条件，在Ａｒ气氛中用Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ法生长晶体，获得了性质优良的ＮａＣｌ（ＯＨ＾－）单晶，为ＮａＣｌ（ＯＨ＾－）；（Ｆ２＾＋）Ｈ色心激光晶......
本文介绍了复合基质碱卤色心晶体ＫＣｌ－ＫＢｒ（ＯＨ－）：心的制备，并着重分析了ＫＣＩ－ＫＢｒ（ＯＨ－）：心的吸收光谱。研究表明，该晶体心的吸收光谱峰位将随基质组分的变化而移动，并......
本文报道了采用提拉法在不同加热系统中和不同生长气氛下进行的LiCaAlF6晶体生长的实验,以探索高质量晶体的生长条件,并讨论了在晶......
本文报道了用感应加热提拉法生长 Mg_2SiO_4∶Ti 单晶时,生长参数特别是生长气氛和掺杂电荷补偿对晶体生长和 Ti 的价态的影响。用......
本文阐述了引上法晶体生长和熔化相互作用的机理。引上法熔体分成三部分：主熔体Ａ；生长面上一个亚微观层厚的具有高溶质浓度（ｋ＜１时）的熔体Ｂ；位......
首次利用提拉法生长了优质铬离子敏化激光自倍频晶体Ｃｒ：Ｎｄ：ＧｄＣａ４Ｏ（ＢＯ３）３（Ｃｒ：Ｎｄ：ＧｄＣＯＢ），发现当铬离子和钕离子双掺时，由于协同效应使铬离子容易进入ＧｄＣＯＢ晶体中，测量了Ｃｒ：Ｎｄ：ＧｄＣＯＢ和Ｎｄ：ＧｄＣＯＢ晶体......
