硅酸铋晶体相关论文
以Si(OC_2H_5)_4和Bi(NO_3)_3·5H_2O作为前驱体、柠檬酸作为溶剂,按化学计量比配料,采用溶胶–凝胶法合成并经高温烧结制备了纯相......
采用坩埚下降法生长了尺寸为f25 mm×100 mm的Ho~(3+)掺杂的Bi_4Si_3O_(12)(BSO:Ho)晶体,研究了所得晶体的透射光谱、激发光谱、发......
对国内外及我校光纤电功率传感器的研究进展情况进行综述，介绍其基本原理及主要特点，提出其进一步的研究方向。
The research progr......
高纯三氧化二铋是制取锗酸铋和硅酸铋晶体的主要原料,生产方法一般有铋盐分解法,铋盐水解法、铋盐中和法和直接氧化法等,存在着产......
从结晶化学角度出发，研究了熔体提拉法生长硅酸铋（ＢＳＯ）晶体的结构与形貌，提出晶体的生长基元为和负离子配位多面体的论点。研究了晶体中各......
石英晶体在Ｂｉ４Ｓｉ３Ｏ１２熔体中析出形态及机理孙仁英范世吴金娣林雅芳（中国科学院上海硅酸盐研究所，上海２０００５０）ＭｏｒｐｈｏｌｏｇｙａｎｄＭｅｃｈａｎｉｓｍｏｆＱｕａｒｔｚＣｒｙｓｔａｌＧｒｏｗｎｆｒｏｍＭｅｌｔｏｆＢｉ４Ｓｉ３Ｏ１２ＳｕｎＲ...
MorphologyandMechanismofQuartzC......
用熔盐提拉法生长出优质Cr·Bi12SiO2单晶，并在氧气中对晶体进行了退火处理，测定了晶体的吸收光谱，分析了Cr离子在Bi12SiO20晶体中的......
用提拉法生长了质量较高的Ａｌ∶Ｂｉ１２ＳｉＯ２０和Ｃｒ∶Ｂｉ１２ＳｉＯ２０（简称Ａｌ∶ＢＳＯ和Ｃｒ∶ＢＳＯ）晶体，测定了掺杂ＢＳＯ晶体的吸收光谱。首次发现：Ａｌ∶ＢＳＯ（摩尔比）为０．１％的晶体的透过率（８０％）远高于纯ＢＳＯ晶体的透过......
采用改进的坩埚下降法成功生长了硅酸铋Bi12SiO20(BSO)单晶,探讨了工艺参数对晶体生长的影响.用电子探针方法研究了硅酸铋晶体中的......
本文提出并演示了一种由可用光写入或擦去的二维光折射率图形构成的新型光波导器件。这种可程序光波导器件综合利用硅酸铋的三种物......
振动是自然界和生产生活中普遍存在的物理现象。振幅小、频率高的振动和超声振动的测量是非常具有工业前景的课题。本文基于硅酸铋......
提出一种基于水热法生长的硅酸铋（BSO,Bi12SiO20）晶体型光学电压传感器,其 电压传感单元主要包括一块BSO晶体和两个偏振器,不需要......
硅酸铋 ( BSO)晶体具有泡克耳斯效应和法拉第磁光效应 ,利用通过 BSO晶体的偏振光将被电场和磁场调制的特性 ,设计一种 BSO晶体传......
紫外光敏材料硅酸铋(BSO)在短波长的蓝紫光激励下电阻率会急剧降低,可作为良好的光信息写入材料,用作光寻址的液晶空间光调制器(LC......
介绍了提拉法生长高质量掺杂硅酸铋Ｂｉ１２ＳｉＯ２０（ＢＳＯ）晶体的主要设备，仪器与工艺条件，并在实验的基础上，分析了ＢＳＯ晶体在加工过程中开裂的原因，并提出了解决......
本文介绍了我所生长的Bi_(12)SiO_(20)晶体的旋光特性。测量了该晶体的旋光率以及旋光率随波长和环境温度的变化,并用回旋偏光法排......
用熔盐提拉法生长出优质Ｃｒ·Ｂｉ１２ＳｉＯ２单晶，并在氧气中对晶体进行了退火处理，测定了晶体的吸收光谱，分析了Ｃｒ离子在Ｂｉ１２ＳｉＯ２０晶体中的价态随退火条件的变......
本文阐述了提拉法生长Ｂｉ１２ＳｉＯ２０（ＢＳＯ）晶体中出现的各种宏观缺陷，分析了产生缺陷的原因，并给出了消除缺陷的方法。......
石英晶体在Ｂｉ４Ｓｉ３Ｏ１２熔体中析出形态及机理孙仁英范世吴金娣林雅芳（中国科学院上海硅酸盐研究所，上海２０００５０）ＭｏｒｐｈｏｌｏｇｙａｎｄＭｅｃｈａｎｉｓｍｏｆＱｕａｒｔｚＣｒｙｓｔａｌＧｒｏｗｎｆｒｏｍＭｅｌｔｏｆＢｉ４Ｓｉ３Ｏ１２ＳｕｎＲ.........
从结晶化学角度出发，研究了熔体提拉法生长硅酸铋（ＢＳＯ）晶体的结构与形貌，提出晶体的生长基元为［ＢｉＯ６］ｎ＾９－和［Ｂｉ１２ＳｉＯ３６］ｎ＾３２－负离子配位多面体的论点。研究了晶体中各......
从原理与实验两方面论述了硅酸铋晶体实时自动记录，显影光学信息的特性。其灵敏度比铌酸锂晶体高１００倍。实验表明，在晶体上施加约为６ＫＶ．ｃｍ＾－１的横......
通过建立并求解硅酸铋（ＢＳＯ）晶体内电光、磁光相互作用的耦合波方程，得到了ＢＳＯ晶体的偏振传递函数，由此分析了ＢＳＯ晶体内偏振光的周期性变化规律，并......
以Si（OC2H5）4和Bi（NO3）3·5H2O作为前驱体、柠檬酸作为溶剂，按化学计量比配料，采用溶胶-凝胶法合成并经高温烧结制备了纯相Bi4Si3O12......
本文报道了Ｃｅ∶Ｃｕ∶ＢＳＯ晶体的生长。测试了晶体相位共轭反射率和响应时间，利用Ｃｅ∶Ｃｕ∶ＢＳＯ晶体二次耦合相位变化，实现了畸变的波前相位的畸变消除。......
用提拉法生长了质量较高的Ａｌ：Ｂｉ１２ＳｉＯ２０和Ｃｒ：Ｂｉ１２ＳｉＯ２０晶体，测定了掺杂ＢＳＯ晶体的吸收光谱。首次发现：Ａｌ：ＢＳＯ（摩尔比）为０．１％的晶体的透过率（８０％）远高于纯ＢＳＯ晶体的透射率（７０％）；Ｃｒ：ＢＳＯ晶体中除Ｃｒ＾３＋外，还存......
硅酸铋（Ｂｉ１２ＳｉＯ２０，简称ＢＳＯ）晶体作为电光材料，其突出优点是响应快，灵敏度高，严重不足是光学增益低，光吸收大，为改善其性能，我们采取了掺杂的方法，生长了Ａｌ：ＢＳＯ和......
高温熔体的实时观测与分析对于晶体生长及其影响因素分析具有十分重要的意义.利用高温热台及偏光显微镜,对铋硅系统熔融及冷却过程......
从Ｋｕｋｈｔａｒｅｖ能带传递模型出发，导出了光折变四波混频共轭反射度对晶体内光栅空间频率的响应及空间电荷场的关系，出了硅酸铋晶体内光生载流子两......
硅酸铋（BSO）晶体具有泡克尔斯效应和法拉第磁光效应，通过BOS晶体的偏振光将受电场和磁场的调制，利用这一特性，设计了一种基于BSO晶体传......
对BSO晶体的旋光效应特性及BSO基光寻址空间光调制器的结构及工作原理的研究表明晶体旋光效应会影响空间光调制器的图像转换质量。......
利用硅酸铋晶体的光电效应构成光调制器，可完成二维逻辑或、与非、或非、非和同逻辑５种运算。本文描述了其工作机制，给出了实验结果。......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
采用浮称自动等径技术提拉生长出〈001〉、〈110〉及〈111〉三种取向的Bi_(12)SiO_(20)单晶(简称 BSO)。尺寸达Φ35×65mm。文......
本文采用坩埚下降法生长出２０ｍｍ＊２０ｍｍ＊１００ｍｍ优质Ｂｉ４Ｓｉ３Ｏ１２晶体及Ｃｅ、Ｎｄ和Ｅｕ掺杂Ｂｉ４Ｓｉ３Ｏ１２晶体。......
本文以水热自发成核BSO晶体作为培养料,4.0 mol/L NaOH溶液为矿化剂,采用水热法成功生长出无色BSO晶体,测试了其透过率曲线,并探讨......
采用不同方法制备的培养料，进行了Bi12SiO20（BSO）晶体的水热生长实验。其中以高纯三氧化二铋，二氧化硅为原料，使用铂坩埚烧制成的玻璃体......
硅酸铋(Bi 4Si 3O 12,BSO)晶体是一种新型的闪烁晶体,具有高辐射硬度、短衰减时间、低成本等优点,作为闪烁材料近年来引起了人们的......
