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弗兰克位错相关论文
用热氧化层错法检测重掺N型硅单晶片表面残留损伤的限制及有关热氧化层错形成机构的分析
<正> 引言 随着硅器件向高集成度、高可靠性、高稳定性友降低成本,提高成品率等方面的发展,不仅对硅材料的内在质量提出越来越高的......
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硅单晶片
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