感应耦合等离子刻蚀相关论文
影响ICP刻蚀的工艺参数包括反应室压力，偏置射频功率，氩气流量比率。通过正交试验的方法，以CHF3和Ar的混合物作为反应气体，利用电感耦......
研究了p-GaN材料经感应耦合等离子体(ICP)刻蚀后的表面特性,并用不同的方法对刻蚀表面进行处理.利用原子力显微镜(AFM)和X射线光电......
根据感应耦合等离子（Inductively coupled plasma，ICP）刻蚀的机理，针对热氧化硅薄膜微拉伸梁的结构特点，研究ICP刻蚀制作3D微拉伸梁结构......
不同角度的GaP表面形貌刻蚀主要依赖于刻蚀参数的调节以及光刻胶的形貌,但要得到能够重复的光刻胶形貌是很困难的.研究了如何通过......
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高深宽比微结构加工的技术有很多,但是目前主流工艺有两种,其一是ICP-RIE,感应耦合等离子体刻蚀技术;其二是LIGA工艺,一种基于X射......
砷化镓(GaAs)负电子亲和势(NEA)光阴极具有量子效率高,暗电流小等优点,广泛应用于高性能光电探测、微光夜视等领域;微/纳米线阵列......
