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本文采用直流磁控溅射方法在硅基底上沉积纯钨膜，用扫描电镜(SEM)方法检测到钨膜的厚度约为560nm.首先在该批钨膜样品中注入能......
用磁控溅射方法制备纳米多晶钨膜,采用X射线衍射(XRD),扫描电子显微镜(SEM),弹性反冲探测(ERD)和慢正电子束分析(SPBA)等手段研究......
采用直流磁控溅射法，在不同的He／Ar混合气氛下，制备了不同He含量的铜膜．利用弹性反冲探测（ERD）方法探测了铜膜中氦的含量和深度分布，实验......
采用射频测控溅射方法,在Ar/He混合气氛下制备了纳米晶钨膜;利用增强质子背散射、慢正电子束分析和X射线衍射分析分别对钨膜中钨原......
用离子注入，氧化和慢正电子束分析研究了ＧＨ９０３合金的氧化性能的改善与微观作用机理，注入的Ｃｒ＾＋，Ｙ＾＋的能量均为６０ｋｅＶ，注入的剂量分别为１×１０＾１７．ｃｍ＾－２（Ｃｒ＾＋），１×１０＾１５．ｃｍ＾－２（Ｙ＾＋）和（１......
