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本文介绍我们把相移掩模光刻技术和准分子激光光刻技术结合起来进行的进一步提高光刻分辨力,扩展光学光刻极限的研究.包括Levenson......
利用非互易律光致抗蚀剂在低照度下曝光,其光化学反应速度急剧下降效应,不仅可以提高光刻工艺的分辨率,而且可通过选定必要的曝光......
<正> 7 投影曝光在平板荫罩及一般的集成电路的光刻工艺中,大都采用接触曝光法,即将掩模板直接放在基板的光致抗蚀剂涂层之上,为了......
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Ｘ射线光刻是一种能满足下世纪初超大规模集成电路（ＶＬＳＩ）生产的深亚微米图形加工技术。论述了这种光刻技术的发展历史及近年来的主要进展。......
