掩模缺陷相关论文
提出了一种极紫外光刻掩模多层膜相位型缺陷的形貌重建方法。采用表面与底部形貌参数表征相位型缺陷的三维形貌;采用原子力显微镜......
光刻是极大规模集成电路制造的关键技术之一，光刻分辨率决定集成电路芯片的特征尺寸。极紫外(EUV)光刻采用13.5nm波长的曝光光源提......
通过对掩模缺陷和激光特点的分析，提出用激光气化法修整掩模缺陷中多余铬缺陷的技术，对LMT型激光修版机进行了改进。给出了改造和更......
本文介绍了用激光投影系统汽化Cr板的技术。可在Cr板上汽化出3μm×3μm至8μm×8μm的矩形方孔，最细线宽1μm的线条，最小直......
本文介绍了科学院光电技术研究所研制的我国第一代掩模缺陷(检查)激光修整仪。介绍了掩模缺陷的产生及其修补方法,国外主要激光修......
