掺杂含量相关论文
本文作者对氧化物半导体透明导电薄膜材料最佳掺杂含量问题作过定量理论计算,给出了一个掺杂最佳含量的表达式,定量分析Al-Fe合金......
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采用第一性原理计算方法研究了不同含量Al掺杂(1.56～6.25at.％)对类金刚石薄膜结构与性能的影响，重点考察了薄膜中残余应力的变化......
采用静电纺丝法制备了Cr掺杂ZnO纳米纤维,通过DSC-TG、Raman和SEM等表征了纳米纤维的热学性质、物相和微观形貌,并测量了所制备纳......
通过金相组织观察、密度检测和硬度测试，研究了Al的含量不同对钨板坯性能的影响。结果表明：Al元素掺杂含量不一样，使钨板坯的晶粒组织......
以Cd(Ac)2、Zn(Ac)2、Na2S等为原料，通过共沉淀法制备CdZnS半导体颜料，用XRD、EDS、SEM等手段对颜料结构、成分、形貌进行表征，主要研......
采用低温水热法制备了WO3掺杂粉体，通过XRD、XPS、DRS和PL光谱等手段表征产物，以太阳光为光源对番红花红T溶液光催化降解。结果表明:......
测试分析了不同掺杂量的材料经过还原和烧结后获得的Si、Al、K残留量,并对不同Si、Al、K掺杂量的钼丝的再结晶行为进行了研究.结果......
本文介绍一个从晶体结构出发建立的晶体结构配位数与最佳掺杂含量关系的理论表达式,对锆钛酸铅(PZT)铁电薄膜的钇(Y)掺杂最佳含量......
随着现代科技的迅猛发展，对材料的性能提出了更高的要求。由于聚酰亚胺具有耐高温等特种功能，一直被广泛应用到航空与微电子领域。为......
以纳米级ZnO和Al2O3为基础粉料,经过机械混合获得混合ZAO粉末,采用干压+常压固相烧结的方法制备了透明导电材料——ZnO:Al(ZAO)靶......
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采用水热合成法制备出锰锌稀土复合铁氧体Mn0.4Zn0.6NdxFe2-xO4(x=0,0.03,0.06,0.09),以X射线衍射仪(XRD),矢量网络分析仪(VNA)和......
以氧化铟锡膜为例，讨论氧化物导体透明导电薄膜载流子浓度的理论上限，建立模型并给出了理论公式，得出氧空位和掺杂的最佳含量值。该理......
本文介绍了一个晶体结构和制备方法与最佳掺杂含量关系的理论表达式，对纳米BaTiO3的钾掺杂最佳含量作出理论计算，定量计算的结果与实......
The mixtures of α-quartz and graphite powder with different mass ratios were, respectively, high-energetically mechanic......
本文把一个从对电子薄膜材料研究中得到的最佳掺杂含量定量理论推广到铌酸锂晶体材料.该理论建立了电子薄膜材料的某一物理性能与......
以氧化铕（Eu2O3）和氧化锌（ZnO）为原材料,采用固相合成法合成了Zn Eu O粉体。通过X射线衍射（XRD）、共焦显微拉曼仪、紫外-可见（Uv-vis）光谱......
