用ＰＥＣＶＤ淀积了低介电常数的掺氟氧化硅介质薄膜，ＳｉＦ４的流量达到６０ｓｃｃｍ时，薄膜的相对介电常数可以降低到３．２。对试样的ＦＴＩＲ分析表明，薄膜中大部分的氟以Ｓｉ－Ｆ键形式......

用 PECVD淀积了低介电常数的掺氟氧化硅介质薄膜 ,Si F4 的流量达到 60 sccm时 ,薄膜的相对介电常数可以降低到 3.2。对试样的 FTI......