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用PECVD淀积了低介电常数的掺氟氧化硅介质薄膜,SiF4的流量达到60sccm时,薄膜的相对介电常数可以降低到3.2。对试样的FTIR分析表明,薄膜中大部分的氟以Si-F键形式......
用 PECVD淀积了低介电常数的掺氟氧化硅介质薄膜 ,Si F4 的流量达到 60 sccm时 ,薄膜的相对介电常数可以降低到 3.2。对试样的 FTI......