生长了InGaAsp/InGaP/In(AlGa)P材料分别限制应变量子阱半导体激光器,发光波长780 nm.利用电化学C-V表征材料掺杂,掺杂浓度达1018 ......

生长了InGaAsp/InGaP/In（AlGa)P材料分别限制应变量子阱半导体激光器，发光波长780nm。利用电化学C-V表征材料掺杂，掺杂浓度达10^18cm^......