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中子嬗变掺杂硅(NTD—Si)的实用化是电力半导体器件发展的突破口之一
评述了30年前第一批用中子嬗变掺杂硅单晶(即无条纹硅)制造高电压、大电流整流管和晶闸管的报道。由此介绍硅材料的中子嬗变掺杂技......
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