采用变温及时间分辨光致发光测量手段, 研究了分子束外延(MBE)设备生长的具有不同盖帽层的InAs量子点样品。发现InxGa1-xAs盖帽层......

在室温和低温下,测试了有序Ga0.52In0.48P的时间分辨光致发光谱.对实验结果的分析表明,有序GaInP的发光呈双指数规律衰退.室温下,......

采用分步合成法成功合成了CdS—ZnSe（I型）和CdSe—ZnS（Ⅱ型）核-壳结构量子点。并首次构建了CdS-ZnSe／CdSe—ZnS结构F6rster能量转移对。......

近年来，ZnO由于其良好的激子发光特性而受到众多研究机构的关注。其具有比GaN和ZnSe材料更高的室温激子束缚能，有望实现室温甚至更高......

在过去的几十年里，三族氮化物得到了大量的关注和开发，已经广泛应用于光电器件中，如发光二极管（LED）、激光二极管（LD)、紫外线（UV）探测器、......

测定了亚单层InGaAs/GaAs量子点-量子阱异质结构在5K下的时间分辨光致发光谱.亚单层量子点的辐射寿命在500ps至800ps之间,随量子点......