有源偏置相关论文
介绍了一款基于GaAs0.15μmpHEMT工艺的2～18GHz超宽带低功耗低噪声放大器芯片的设计，给出了在片测试结果。该芯片采用结合有源偏置和......
基于sanan的发射结面积为2um×20um的InGaP/GaAsHBT工艺,采用达林顿结合有源偏置结构,制作了一种频率覆盖DC-5GHz的超宽带低噪声放......
为解决传统达林顿结构的单片射频放大器线性度低和高低温下静态电流变化大的问题,设计了动态偏置电路和有源偏置电路来提高放大器......
采用0.5 μm GaAs pHEMT工艺研制了一款0.1～2.0 GHz的高线性度低噪声放大器芯片.针对偏置电压随电源波动的问题,提出一种新型的具有......
采用0.5μm GaAs增强型赝配高电子迁移率晶体管(E-PHEMT)工艺技术设计了一款10~1000 MHz具有低噪声和高线性度的超短波低噪声放大......
采用21μm GaInP／GaHBT工艺研制了覆盖3G／LTE所有频段的高线性驱动放大器。放大器为1级有源偏置设计，部分输入输出匹配需要在外电路实......
基于砷化镓增强型pHEMT工艺设计了一款0.5-7.0GHz GainBlock宽带单片集成放大器,其拓扑结构为达林顿结构.为克服E型工艺开启电压随......
针对近年来快速发展的多模卫星组合导航技术需求,提出覆盖主流全球卫星导航系统(GNSS)频段(包括GPS、GLONASS、伽利略、北斗)的低......
设计并流片制作了基于GaAsPHEMT工艺的Ka波段微波单片集成压控振荡器(MMICVCO)．该VCO具有紧凑、宽电调谐带宽及高输出功率的特点．提......
超宽带低噪声放大器是可重构射频前端、宽带相控阵雷达必需的芯片,其性能直接影响系统的灵敏度.展示一款集成温度补偿有源偏置电路......
功率放大器（Power Amplifier,PA）是射频前端关键的模块,基于0.13μm SiGe HBT工艺,设计了一款38 GHz功率放大器。提出了HBT集电极寄......
基于0.15um GaAs pHMET工艺技术,采用电流复用偏置结构及有源偏置技术,研制了一款高鲁棒性紧凑型低功耗单片低噪声放大器芯片。该......
设计了一种宽带、噪声系数仅为0.48dB的有源偏置超低噪声放大器。低噪声放大器采用0.5μm GaAs E-PHEMT工艺研制,2.0mm×2.0mm×0.......
提出一种基于改进型负反馈电路的宽带低噪声放大器.放大器芯片采用0.25μm Ga Asp HEMT工艺设计和Si P技术封装.通过调节封装内芯......
针对无线通信应用的射频功率放大器,提出了一种新颖的温度补偿电路。应用该温度补偿电路,设计了一款基于In Ga P/Ga As HBT工艺的......
