高线性度相关论文
针对高线性度压控衰减器对正电压作为控制信号的需求,基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)0.25μm工艺,设计了一款1~6 GHz正电压控制......
从4G手机到如今商用的5G通信手机,手机天线数量的倍数增长伴随着射频分立模块数量急剧攀升,对本来拥挤的PCB无疑增加空间约束,进一......
随着5G移动通信技术的不断成熟,无线通信系统对射频前端的抗失真能力和模块微型化实现提出了更高的要求。低噪声放大器(Low Noise A......
基于SOI工艺设计了一款高线性度超带宽的六位数控衰减器,采用管堆叠技术,提高开关管的线性度,同时使用T型和π型衰减结构,在DC~40GH......
高线性度电光调制器主要用于解决微波光子系统中电信号到光信号转化时信号非线性失真的问题,微波光子链路的性能会受到电光调制器线......
光纤传感器具备了结构紧凑、制造工序较为简单、检测结果精确等优点,在生物样本检验、药物分析、食品安全测试等领域中使用普遍。......
射频单刀双掷开关作为射频收发机前端系统的关键模块,其性能直接影响整个收发机系统处理信号的能力。随着通信技术的不断发展,通信......
随着物联网应用的推广,智能终端的数量呈爆炸式增长,使得ISM频段越来越拥挤,信号被阻塞的风险大大增加。射频接收机对阻塞抑制的要......
学位
全球导航卫星系统(GNSS)已经在航空航天、消费电子、军工通信等多个领域得到广泛应用,但是由于卫星与地面接收终端存在很长的距离,且......
高能效温度传感器在物联网(Internet of thing,IoT)系统中有着极为广泛的应用.提出了一种基于流水线型时间-数字转换器(Time-to-di......
导电高分子复合材料(CPCs)因具备优异的柔韧性、高的性价比以及良好的可加工性等特点,常被用来组装用作应变传感器材料。近年来,可拉......
近年来,蜂窝和Wi-Fi应用场景更加广泛,对SAW-Less接收机性能的要求也更高。为满足SAW-Less接收机高线性度的要求,论文研究和设计了......
随着无线通信的迅速发展,人类正逐步进入万物互联的时代,多模式、多频带的无线通信设备将成为日后发展趋势,因而宽带射频接收前端......
设计了一款基于相位失配的高线性度Doherty功率放大器(DPA),通过调节输出和输入相位失配网络,改善DPA的幅度-相位(AM-PM)特性并兼顾回......
期刊
展示了一款基于TSMC 0.18μm RF CMOS工艺设计的高线性宽带放大器芯片,该芯片可覆盖P波段、L波段、S波段,实现宽带放大.放大器采用......
为解决传统达林顿结构的单片射频放大器线性度低和高低温下静态电流变化大的问题,设计了动态偏置电路和有源偏置电路来提高放大器......
随着大数据时代的来临,高速串行链路(SerDes)以其低成本,抗干扰性强等优点受到广泛的关注。数字相位转换器(Digital-to-PhaseConve......
采用0.5μm GaAs E-pHEMT工艺设计了一种0.1~6 GHz的高线性度射频放大器.结合达林顿电路与共源共栅电路结构,提出了一种新型放大器......
传统VGA线性度较低,不适用于生物医学应用.文章分析了基于可编程跨导器的传统结构,得出环路增益和失真的关系,并基于此采用增益提......
随着通信技术的快速发展,射频通信系统正朝着高集成度、高性能、低功耗等方向发展。可变增益放大器(Variable Gain Amplifier, VGA)......
HEMT与HBT集成放大器的设计HEMT以其高增益和低噪声著称,而HBT则以高线性度和高效率见长,因此,把HEMT和HBT集成在同一衬底上的性能引起了微波设计者的观注。......
根据FMCW雷达的工作原理,本文采用新技术和小型化3mm元部件,设计了先进的3mm前端电路,大大减小了组件体积,并采用了模拟一数字混合电路,由高速单片......
主研人员:樊勇汪学刚健雄康小宏吴正德向敬成袁湘辉本项目以采用国产6mmGaASGunnM极管和参放变容M极管研制的3mm电调谐振荡器为核心......
分析了AlGaAs/GaAsHBT的非线性失真产生的机理,应用Volterra级数理论计算了AlGaAs/GaAsHBT的三阶互调失真,理论值与实测值吻合较好,......
介绍了降频混频电路的电路结构及其工作原理, 并且着重分析了一种高线性度的实现方法。电路采用了0.18μm CMOS RF模型, 通过仿真,......
Agilent日前宣布推出高线性度的E-pHEMT(增强模式伪形态高电子迁移率晶体管)场效应管(FET)。这款产品采用了新型低热电阻的微型2m......
ATF—501P8为高线性度单电压E—phemt(增强模式伪形态高电子迁移率晶体管)场效应管,专为发射功放器和接收低噪声放大器应用而设计......
采用 2 2 2级联全差分结构和低电压、高线性度的电路设计实现了高动态范围、低过采样率的 ΣΔ 调制器 .在1.8V工作电压 ,4 MHz采......
德州仪器(TI)日前宣布推出高线性度16位逐次逼近(SAR)模数转换器ADS8372,能在-40℃~+85℃的整个工业温度范围内提供多种卓越特性,......
据《Wireless Tech》2006年第10期报道,Avago Technologies近日推出一款低热阻高线性度硅双极达林顿放大器。该放大器的工作频率为......
介绍了一种0·18μm CMOS工艺基于GSM1900(PCS1900)标准低中频接收机中的混频器.该混频器采用了一种新型的折叠式吉尔伯特单元结构......
提出了基于CMOS工艺的直接频率变换的DVB-S射频前端电路设计.设计采用了T型匹配网络的可变衰减器、具有单端到双端变换功能的低噪......
据《Portable Design》2008年等7期报道,德国Infineon公司开发了用于700MHz频段无线基础设施应用的射频功率晶体管。基于公司先进......
提出了一种带时间延迟积分功能的高性能CMOS读出电路芯片适用的高效率电荷延迟线结构。基于该结构,设计了一款288×4规格焦平面阵......
Avago Technologies(安华高科技)推出一对采用低成本表面贴装封装新型2 W和4 W功率放大器。Avago的AMMP-6413/6415采用5 mm×5 mm......
描述了应用于电流模逻辑电路中的高线性度电压电流转换电路的设计与实现.该电路采用高增益两级运算放大器构成负反馈,偏置电路利用......
Hittite微波公司推出频率合成器模块产品HMC-C083,该产品是全集成的宽带频率合成器模块,工作频率在2-6GHz,具有非常好的相噪性能,......
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对新型复合沟道AlxGa1-xN/AlyGa1-yN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)进行了优化设计.从半导体能带理论与量子阱理论出发,自洽求解了......
TriQuint半导体公司日前宣布,推出全新的集成式射频产品系列的首批成员产品——TQP7M9101和TQP7M9102。该系列作为TriQuint新基站......