杂质团相关论文
在点源热脉冲传热模型的理论基础上,采用格林函数法建立了由于单个杂质缺陷吸收引起的温度场模型,得到了杂质附近温度场的解析表达......
借助于电学测量和低温（８Ｋ）红外分析技术，研究了微氮硅单晶中新施主的形成特性在６５０℃长时间热处理后，微氮硅单晶不产生新施主，其中氮破坏了新......
一、引言 近年来,国内外研究者对无位错Si单晶中的微观缺陷,都十分重视,已发表了比较系统的研究报告。应当说,无位错晶体的制备成......
引言 对于超大规模集成电路(VlSI)的部件来说,必须要求芯片有高的表面寿命,因为在一个长时期内,需要维持一定的注入电荷。然而,应......
