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栅极介电薄膜相关论文

CaZrO<,x>、ZrAl<,x>Si<,y>O<,z>和HfAlO<,x>高介电栅介质薄膜微观结构和界面性质研究

随着硅基集成电路(IC)集成度的不断提高，其基本组成单元MOS—FET的特征尺寸也不断减小。为了保持其高的栅极电容，SiO2栅介质层厚度也......

学位

硅基集成电路栅极电容脉冲激光沉积 CaZrOx ZrAlxSiyO2 HfAlOx 栅极介电薄膜界面性质室温铁磁性

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