栅极电容相关论文
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的栅极电容由本征电容和边缘电容组成.边缘电容分为外部边缘电容和内部边缘电容,内部边缘电容相比外......
随着硅基集成电路(IC)集成度的不断提高,其基本组成单元MOS—FET的特征尺寸也不断减小。为了保持其高的栅极电容,SiO2栅介质层厚度也......
本文主要介绍IGBT栅极驱动电阻和电容的作用及选取原则,阐述如何确定IGBT栅极驱动电阻、电容参数的方法和步骤,提供了具体的试验实......
基于非穿通NPT/沟槽工艺的Light MOS,是一种内置续流二极管的新型IGBT。Light MOS组合了MOSFET和IGBT的优点,栅极电容较MOSFET小10倍.......
MOSFET漏源之间的电流通过一个沟道(Channel)上的栅(gate)来控制。按MOSFET的原意,MOS代表金属(Metal)氧化物(Oxide)-半导体(Semico......
基于绝缘栅双极性晶体管简化等效电路,对影响IGBT输出外部信号的四个相关内部参数:栅极电容、跨导、剩余截流子寿命、栅漏极有效导......