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氮化镓(GaN)半导体材料具有禁带宽度大、击穿场强高等诸多优点，因此，GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)在功率转换和微波射频领域具有重......
基于SOI技术对器件特性的良好改善和槽栅MOS器件在深亚微米领域抑制短沟道效应和抗热载流子效应方面的显著优势,对SOI槽栅CMOS器件......
由于GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)具有高击穿电压、高载流子密度、高载流子饱和速度等优势,目前已在高频大功率器件应用领域取得......
