槽栅PMOSFET相关论文
本文基于动力学能量输运模型,利用二维器件仿真软件MEDICI,集中研究了槽栅PMOSFET的负结深、凹槽拐角以及沟道和衬底掺杂浓度对其......
分析了槽栅器件中的热载流子形成机理 ,发现在三个应力区中 ,中栅压附近热载流子产生概率达到最大 .利用先进的半导体器件二维器件......
制造了栅长0·1μm,栅氧厚度5·6nm,栅槽180nm的SOI槽栅pMOSFET.给出了器件的转移特性和输出特性.在Vds=-1·5V时,其饱和漏电流为3......
基于流体动力学能量输运模型,利用二维仿真软件Medici对深亚微米槽栅PMOS器件的结构参数,如凹槽拐角、负结深、沟道和衬底掺杂浓度......
基于流体动力学能量输运模型,利用二维仿真软件Medici研究了深亚微米槽栅PMOS器件衬底和沟道掺杂浓度对器件抗热载流子特性的影响,......
基于流体动力学能量输运模型,利用二维仿真软件MEDICI对深亚微米槽栅PMOS器件的结构参数,如凹槽拐角、负结深、沟道和衬底掺杂浓度......
利用二维器件仿真软件MEDICI，基于动力学能量输运模型对沟道掺杂浓度不同的深亚微米槽栅PMOSFET的特性进行了研究，并与相应平面器件......
基于流体动力学能量输运模型，利用二维仿真软件Medici对深亚微米槽栅PMOS器件的结构参数，如凹槽拐角、负结深、沟道和衬底掺杂浓度对......
基于能量输运模型对由凹槽深度改变引起的负结深的变化对深亚微米槽栅PMOSFET性能的影响进行了分析，对所得结果从器件内部物理机制......
基于流体动力学能量输运模型，对沟道杂质浓度不同的槽栅和平面PMOSFET中施主型界面态引起的器件特性的退化进行了研究，并与受主型界......
制造了栅长0．1μm，栅氧厚度5．6nm，栅槽180nm的SOI槽栅pMOSFET．给出了器件的转移特性和输出特性．在Udn=-1．5V时，其饱和漏电流为380μA，关态泄......
基于流体动力学能量输运模型,利用二维仿真软件Medici对深亚微米槽栅PMOS器件的几何结构参数,如:沟道长度、凹槽拐角、凹槽深度和......
基于流体动力学能量输运模型,首先研究了槽栅器件对短沟道效应的抑制作用,接着研究了不同衬底和沟道杂质浓度的深亚微米槽栅PMOSFE......
