正向偏压相关论文
本文研究了基于AlGaN/GaN异质结材料的肖特基二极管气体传感器对于200ppm到1000ppm范围内CO气体的响应状况。在2V正向偏压下,器件......
本论文利用磁控溅射法制备了钙钛矿锰氧化物(La1-xSrxMnO3,La1-xCaxMnO3)基异质p-n结,并主要研究其电学、磁学性能。主要工作包含......
采用ICP干法刻蚀和PECVD沉积技术,制备了增强型Si衬底SiO2/GaN MOS栅场效应晶体管(MOSFET)。SiO2/GaN MOSFET转移特性曲线测试中出......
晶体硅太阳电池中缺陷将会影响电池的效率和使用寿命。本文旨在探索利用电致发光技术进行晶体硅太阳电池缺陷的检测与分析。通......
本文对碳化硅混合PiN/Schottky二极管(MPS)的伏安特性进行了模拟,结果表明MPS正向压降小,电流密度大,在2V正向偏压下达3000A/um,反......
Si/SiO薄膜采用射频磁控溅射技术制备，当正向偏压大于5V时即可观测到来自不同Si层厚度的Au/(Si/SiO)/p-Si结构在室温下的可见电致发......
作者们用电化学C-V的方法测量了MOCVD生长的双异质结结构绿光LED。采用稀盐酸腐蚀液，加正向偏压，边腐蚀边测量。实验完毕，用SEM观察表......
用活化反应蒸发法在普通玻璃基片上制备出CuO/ZnO薄膜PN结，研究了该PN结的正向伏安特性曲线随相对湿度的变化。CuO/ZnO薄膜PN结的正......
1 概述rn二极管是两端口电子器件,支持电流沿着一个方向流动(正向偏压),并阻碍电流从反方向流动(反向偏压).不过,有许多种类型的二......
Electrical Charactedzation of Semiconductor Diode Using Altemating Signal Measurements at Forward Bi
The general analysis of the forward AC behavior of a semiconductor diode under series mode is presented for the first ti......
利用正向交流(a.c.)小信号方法对发光二极管(LEDs)的电容-电压特性进行了研究,观察到了发光二极管中的负电容现象,并且测试频率越......
采用ICP干法刻蚀和PECVD沉积技术,制备了增强型Si衬底SiO2/GaN MOS栅场效应晶体管（MOSFET）。SiO2/GaN MOSFET转移特性曲线测试中出现......
PN结在恒流条件下,通过对其正向偏压随温度升高而降低的线性化分析,得到其传感原理的简化线性公式。在分析过程中,考虑了半导体材......
研究了薄膜太阳电池电致发光特性,并运用AAA极太阳模拟器测试其I-V特性。采用高灵敏度光谱仪检测薄膜电池电致发光的光谱波长在860......
