同质结相关论文
过氧化氢（H2O2）是工业和医疗领域中的一种重要的氧化剂。目前,H2O2的工业化生产方法主要是蒽醌法,然而这种方法存在能耗高、反应过程......
双酚A（Bisphenol A,BPA）是一种重要的化工原料,因其广泛生产、使用以及其残留物未能完全处理,致使BPA进入环境中。作为典型的内分泌......
在人类发展生存过程中,水资源污染问题越来越严峻,与此同时,耗费大量能源追求高速发展所带来的弊端也日益凸显。工业废水是水污染......
二维材料石墨烯具有零带隙、宽光谱吸收和高载流子迁移率等优点,可以为光电探测器提供宽光谱探测、稳定的光谱响应和快响应速率。......
基于二维层状半导体材料的同质结在电子和光电子领域有着广阔的应用前景。在本文中,我们首先研究了由厚度调制自发形成的具有单边......
铜锌锡硫（CZTS）化合物作为铜铟镓硒（CIGS）在太阳能电池中吸收层的替代者,具有与CIGS相似的结构与光伏效应,组成元素储量丰富且无毒,是......
工业革命后,化石燃料成为人类生产生活的主要能量来源。而在其大规模使用的过程中给地球环境与人类社会带来很多问题,例如极端气候......
随着信息交互频率的增加和人工智能时代的来临,数据的存储与运算需要一个更为高效、快速的方法。忆阻器在兼具存储与计算于一体的......
二维MoTe2由于具有丰富的能带结构和晶相结构以及优异的光电性质而倍受关注。然而,目前对于MoTe2的研究和应用存在一定的挑战。一......
通过混合煅烧二氰二胺水热法和三聚氰胺-三聚氰酸共沉淀法制备的超分子前驱体,制备了兼具多孔纳米片和中空纳米管形貌的g-C3N4/g-C......
LED具有体积小、功耗低、使用寿命长、可控性强等特点,在显示照明领域有着广泛的应用前景。作为宽直接带隙半导体材料典型代表之一......
制备同质结和异质结InGaN太阳电池，表征分析不同结构电池性能的差异，通过对比研究发现电池的结构设计、吸收区厚度、晶格质量都对电......
本论文利用磁控溅射法制备了钙钛矿锰氧化物(La1-xSrxMnO3,La1-xCaxMnO3)基异质p-n结,并主要研究其电学、磁学性能。主要工作包含......
近年来,二维过渡金属硫族化合物(transition metal dichalcogenides,TMDCs)由于其出色的电学和光学特性在光电探测领域被广泛研究.......
通过甲醇辅助溶剂热预处理,设计和制备了石墨相氮化碳同质结光催化剂(x%MeCN-CN).利用TEM、XRD、FTIR、XPS、UV-Vis DRS、PL、EIS......
简述了ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结器件的基本原理，锗硅合金的基本性质，及发展现状。
The basic principle of SiGe / Si heterojunction device, the ba......
采用 MOCVD 技术在 SiC 衬底上制备了 AlGaN 同质和异质 pn 结,AlGaN 层中 AlN 浓度为2～8mol%,反应离子刻蚀形成台面结构。研究了 A......
从理论上对n~(+)在p上和p在n上的HgcdTe光电二极管的性能再度进行了分析。假定光电二极管的性能是由于受俄歇机理控制的热发生的结......
从理论和实验两方面简要评述了 p- Ga As和 Si同质结界面功函数内光发射 (HIWIP)远红外 (>40μm)探测器的最新发展 .重点讨论了此......
过渡金属二硫化物（TMDs）是具有类石墨烯结构的二维材料,在催化、储能、传感器、润滑、医学等方面具有广泛的应用价值。TMDs具有不同......
氧化锌(ZnO)半导体因具有较大的禁带宽度(3.37 e V)和较高的激子束缚能,在蓝紫光、紫外等短波长光电子器件领域有巨大应用前景,有......
单斜白钨相（m-BiVO4）具有带隙小（2.4 e V）、无毒、低成本以及相对较优的化学稳定性和光稳定性等特点,是目前最有吸引力的水氧化光催化......
目前,水生态环境正面临着严峻挑战。大量污染物进入江河湖海,导致了复杂、多性质的复合污染。污染物质会逐渐破坏水生生态系统,甚......
高氯酸铵(AP)作为固体火箭推进剂的重要组成部分,对其热分解过程的研究具有重大意义。随着研究人员的不断探索,金属复合材料、碳纳......
基于半导体光电极的光电化学（PEC）分解水制氢能够能够将吸收的太阳能转换为氢能,被认为是破解当前能源危机和环境问题的一把金钥匙。......
在光电催化（PEC）分解水的领域中,二氧化钛（Ti O2）作为一种n型半导体,因其成本低、无毒、稳定性好且具有能够分解水的导价带位置而受到......
本文介绍的多用装置的光源采用同质结或单异质结GaAlAs/aaAs半导体激光器,不但具有抗干扰性能力强、传送距离远(可达几十到几百米......
在汞等离子体装置中进行三极溅射制成了红外(Hg,Cd)Te光电二极管探测器。采用共溅射技术,用加偏压的金属(金或铝)辅助靶,形成了p型......
本文介绍两种成结方法:离子注入同质结和双层液相外延异质结。报导了受背景辐射限制的探测度。测量了预定包括1～3(短波长)、3～5(中波......
一、前言 Si外延方法是很多的,但如何实现低温外延仍然是当前尚待解决的问题之一。最近发展起来的离子束外延是解决该问题的一种......
本文推算了吸收限的Burstein-Moss 位移对Pb/Sn Te 探测器光谱响应的影响。将推算的光谱响应与已发表的许多探测器(同质结结构和异......
Ⅰ—Ⅵ族化合物薄膜的直流场致发光,现在还处于它的幼年;但是,如果通过系统性的研究工作,在没有p—n同质结的情况下,解决了空穴的......
一、前言与半导体 DH 激光器相比,作为近红外光源的半导体 LED’S 有如下优点:1)光输出与工作电流之间有良好的线性关系;2)具有较......
异质结通常是指二种不同能带结构的材料组合时,在其界面所形成的结。早期异质结的概念一般限于二种材料都是半导体,现在异质结的......
众所周知,异质结的经典理论——Anderson理论是以“热电子发射模型”为基础的,而同质结经典理论——Shockley理论却是以“扩散模型......
发光二极管的优点是:可靠、成本低、亮度高、可与低压集成电路直接配用。发光二极管实质上是一种电发光器件。固体中光的发射是由......
晶体管的发明,使电子技术产生了伟大的变革,而晶体管的核心是半导体p-n结,即同质结. 近年来,一种叫做异质结的半导体结构要],在半......
本文把在金属-半导体接触中同时存在着扩散和热电子发射这样两种互相串联的电流传输机构这一看法推广到了异质结。以GaAs-Ge为例进......
首次报导一种新结构器件的性能和特性,该器件是由非晶形和晶形半导体组成的。在不使用任何透明电极或增透膜的情况下,当V_(oc)=0.5......
本文没有采用Anderson的经典途径,而是在做了一些推广后,把Shockley建立同质结的理论推广到了异质结.在不引入真空能级和电子亲合......
本文综述了非晶硅薄膜太阳电池的发展进程,介绍了非晶硅电池的结构改进和集成型结构的非晶硅电池组件,激光切割技术.
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四、在MBE HgCdTe中砷扩散的p~+-n同质结通过在HgCdTe外延层中扩散砷形成p~+-n同质结。砷在HgCdTe中是p型浅受主。在预要求的平衡......
