气体流量比相关论文
采用磁控溅射技术结合等离子体气相沉积技术,通过调节CH4与Ar的气体流量比例,获得了不同Cu含量的Cu/a-C:H复合薄膜.采用XPS、Raman......
实验研究了不同乙炔与氩气流量比R对脉冲等离子体增强化学气相沉积（PECVD）类金刚石薄膜的沉积速率、AFM形貌、膜基结合强度、纳米压......
利用磁控反应溅射法,以Al为靶材,在Ar/O2气体环境中,在Si衬底上制备出了Al2O3薄膜,研究了气体流量比对薄膜质量的影响。结果表明,......
为研究气体流量比对非平衡磁控溅射沉积含氢类金刚石薄膜（Diamond-Like Carbon,DLC）沉积速率及性能的影响,在不同Ar/CH4流量比条件下......
利用射频磁控反应溅射法,以高纯S i为靶材,高纯N2气为反应气体,在S i衬底上制备出了S i3N4薄膜,研究了气体流量比对薄膜质量的影响......
