金属有机化合物化学气相淀积相关论文
传统晶格匹配的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件受衬底晶格常数的限制，可选择的外延材料的范围有限，影响了器件光电性能的提高。晶格异变缓......
通过分析激光器的结构,优化设计了非对称宽波导激光器结构及外延生长条件。利用低压金属有机化合物气相淀积技术(LP-MOCVD)生长了......
使用氮化物MOCVD外延生长系统,采用传统的两步生长法在76.2 mm c面蓝宝石衬底上生长了不同压力的GaN薄膜样品。研究发现提高高温Ga......
为解决MOCVD设备温度控制的非线性、时变性以及大时滞等问题，提出改进的基于误差反向传播算法（BP）的神经网络控制方法．在传统BP算法基......
针对MOCVD系统工艺及控制要求,设计了MOCVD控制系统.采用PLC作为核心控制器,负责各类输入输出信号的控制,进行数据处理,控制半导体......
为解决金属有机化合物化学气相淀积（MOCVD）设备温度控制的非线性、时变性以及大滞后等问题，给出了一种用模糊控制和预测控制相结合的......
GaN基宽禁带半导体是目前发展高温、高频、大功率电子器件的最重要也是最基本的材料,深受国际上的关注。因此,GaN和AlxGa,-xN/GaN......
由于AlN材料和GaN材料之间2.78eV的导带断续以及III族氮化物材料所具有的较强的极化效应,当AlGaN和GaN形成异质结材料时,在其界面......
InGaAs/GaAs失配异质结材料有较高的电子迁移率、材料稳定性好，并且带隙在一定范围内(0.36-1.42eV)可调等优点，在光电子器件领域有着......
学位
