氧离子注入相关论文
本文描述SOI材料制备工序中,注氧机对SOI材料在离子注入过程中产生粒子污染,影响其顶层硅的性能,结合SIMS测试和ICP-ABS测试的结果......
本文采用等离子体基氧离子注入技术对Ti6Al4V合金进行表面处理.注入电压选取-50kV,注入剂量为4.5×1017 ions/cm2.氧离子注入后对注......
该文提出了用RFQ加速器同时加速同荷质比正负离子的机理, 并利用现有的RFQ加速装置进行了实验验证。 初步结果表明采用这一方法可有效......
高质量、高载流子迁移率和低电阻率的n型金刚石薄膜的制备是限制金刚石在电子工业中应用的瓶颈问题。本文采用热丝化学气相沉积法(H......
采用扫描电镜(SEM)、Raman光谱和纳米压采法研究了氧离子注入对低硼掺杂金刚石薄膜微结构和力学性能的影响.结果表明,薄膜中注入较......
聚吡咯(PPy)电导率较高,生理环境下稳定,生物相容性良好,可用作生物医用材料,但需根据应用需求进行修饰改性。论文利用等离子体浸......
在 4H-SiC 样品的放射损坏在 70 植入 ? keV 氧离子横梁用光致发光和电子旋转回声技术被学习。g 的 ESR 山峰 ?=? 2.0053 和二根零......
用能量450keV,剂量1×1015/cm2和5×101 5/cm2及能量100keV,剂量3×1016/cm2的氧离子分别对尼龙1010进行O+注入改性.......
用高能离子注入机对超高分子量聚乙烯(UHMWPE)进行了O+ 注入改性,注入能量为450 keV和100 keV,剂量分别为1×1015/cm2,5×......
为了解决如高温200C等恶劣环境下的压力测量问题,基于微机电系统(MEMS)和高能氧离子注入(SIMOX)技术,研制了一种量程为0~120kPa的坻阻式压......
过去十多年,SIMOX技术应用已得到证实。本文着重介绍了SIMOX技术及SIMOX结构的基本形成规律,论述了SIMOX技术在集成电路中,尤其是......
最近,山东大学物理学院陈峰教授和西班牙马德里自治大学物理材料系D.Jaque教授合作,首次报道了利用选择性氧离子注入的方法实现Nd:YAG......
报道了氧分子离子注入表面形成的氧化膜对铸态金属α-U的抗腐蚀性能的影响,经注入和未注入试样的电化学,96℃饱和蒸汽腐蚀,50mg/1KCl溶液浸泡和室内......
采用扫描电镜(SEM)、Raman光谱和纳米压痕法研究了氧离子注入对低硼掺杂金刚石薄膜微结构和力学性能的影响。结果表明,薄膜中注入较高......
<正> 众所周知,离子注入能够的改变固体表面的物理、化学、机械等性质。例如,改变金属的导电及摩擦性质,改变光学材料的折射率。我......
应用氧离子注入(Separation by Implantation of Oxygen)SIMOX技术,制作适合于高温环境条件下的固态压阻式硅隔离(SOI)压力敏感元......