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氮化铟半导体相关论文
高电子迁移率InN的分子束外延生长及其掺杂研究
本文深入分析了高电子迁移率InN的外延生长,采用边界温度外延的方法实现了高迁移率lnN薄膜,室温下电子迁移率超过3000 cm2/Vs,InN......
会议
氮化铟半导体
分子束
外延生长
p型掺杂
电子迁移率
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