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水平布里支曼相关论文

GaAs晶体位错缺陷的同步X光透射形貌研究

利用同步X光透射形貌技术，研究了液封直拉（LEC）、水平布里支曼（HB）、垂直梯度凝固（VGF）三种生长技术制备的Φ2"晶片的位错缺陷。发现LEC晶......

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位错 X光形貌 GAAS晶体半导体生长工艺液封直拉水平布里支曼垂直梯度凝固缺陷

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