利用水平热壁式CVD外延生长技术,在75mm偏向〈1120〉方向4°的(0001)Si-面n型导电衬底上同质外延生长了4H-SiC薄膜.光学显微镜和原......

利用水平热壁式CVD外延生长技术,在75mm偏向〈1120〉方向4°的（0001）Si-面n型导电衬底上同质外延生长了4H-SiC薄膜.光学显微镜和......

研究了水平热壁式CVD(Hot-wall CVD)4H-SiC同质外延生长,通过优化载气氢气的流量获得低于1％(最好值为0.09％)的外延厚度均匀性(σ/m),......