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波状基区A-GCT是在传统的门板换流晶闸管(GCT)的基础上,引入波状p基区形成的新型大功率半导体器件。与传统的GCT相比,波状基区A-GC......
门极换流晶闸管(Gate Commutated Thyristors,简称GCT)是在门极可关断晶闸管(GTO)的基础上发展而来,具有高耐压、低通态损耗、稳定关......
传统双芯GCT(Dual-GCT)是一种损耗很低的新型电力半导体器件,由低通态损耗的GCT-A和低关断损耗的GCT-B并联在同一硅片上形成的。波......
波状基区RC-GCT是在传统的逆导门极换流晶闸管(RC-GCT)的基础上,引入复合隔离区和波状p基区形成的新型大功率器件。与传统的RC-GCT......