深紫外探测器相关论文
深紫外探测技术因其空间背底噪声低、灵敏度高等特点而在导弹预警与制导、保密空间通讯、紫外成像、火焰探测和臭氧空洞检测等领域......
本文利用射频等离子体辅助分子束外延设备,开发了硅衬底上金属Be膜的沉积及原位氧化界面控制技术,通过系统研究温度对Be原子在Si(111......
金刚石极为优异的物理化学性质使其成为能够应对恶劣条件和严格要求的“未来”材料。超宽带隙和高载流子迁移率是其作为深紫外探测......
本论文针对超宽带隙半导体材料BN器件展开了相关的研究。超宽带隙半导体材料具有带隙大,电子迀移率高、击穿场强大以及高温稳定等......
氧化镓(Ga_2O_3)作为一种新型半导体材料,尤其,单斜晶系的β-Ga_2O_3是一种直接宽禁带的氧化物半导体,在室温下光学禁带宽度为4.5-......
GaN及其化合物AlxGa1-xN,InxGa1-xN,AlxInyGa1-x-yN在光电器件及高温、高功率电子器件等方面有着广泛的应用。近年来,深紫外太阳光盲......
在超过相变临界厚度的立方相Mg0.29Zn0.71O薄膜上制备了Au插指电极MSM结构探测器件,30 V偏压下的峰值响应度可达27.9 A/W(268 nm),......
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