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采用源极增强带带隧穿热电子注入编程的新型p沟选择分裂位线NOR快闪存贮器
提出一种新型的PMOS选择分裂位线NOR结构快闪存贮器,具有高编程速度,低编程电压,低功耗,高访问速度和高可靠性等优点。该结构采用源极......
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热电子注入编程
快闪存贮器
带带隧穿
分裂位线NOR
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