带带隧穿相关论文
MOSFET器件的尺寸缩小带来较明显的短沟道效应、泄漏电流增大、功耗增加等问题,限制了集成电路的发展。由于受热力学输运玻尔兹曼......
学位
在摩尔定律的指导下,集成电路的特征尺寸不断减小,纳米尺度下MOSFET器件的漏电问题越来越严重,日益增大的功耗限制了晶体管尺寸进......
多年来,随着集成电路的快速发展,晶体管的工艺尺寸从微米级缩小到纳米级。工艺尺寸的缩小使得集成电路的集成度提高,性能提升。不......
纳米线环栅隧穿场效应晶体管相比于其他多栅器件具有更强的短沟道效应抑制能力及更优异的电学特性.器件模型能够模拟器件电学特性,......
随着集成电路领域的日益发展,芯片集成度不断提高的同时MOSFET器件尺寸也在不断缩小。当今,尺寸缩小所带来的功耗增大问题变得越来......
隧穿场效应晶体管(TFET)基于带带隧穿原理工作,其亚阈值摆幅能够突破MOSFET亚阈值摆幅的理论极限60mV/dec,具有较大的研究价值和应......
在摩尔定律的指导下,集成电路中MOS器件的栅长在不断减小,目前已经减小到10nm左右。随着集成电路中关键尺寸的不断减小,小尺寸带来......
根据摩尔定律的描述,随着集成电路技术的不断发展,晶体管的尺寸在不停的减小,集成度变高,性能提升。但在器件的尺寸等比例缩小的同......
该论文研究了EEPROM/FLASH的结构,工作特性和改进可靠性的方法.分析了编程过程中浮栅电位,同时讨论了单元Ⅰ-Ⅴ曲线的特性.利用MED......
提出一种新型的PMOS选择分裂位线NOR结构快闪存贮器,具有高编程速度、低编程电压、低功耗、高访问速度和高可靠性等优点.该结构采......
FLASH在擦操作的过程中，带带隧穿产生的空穴注入将会在SiO2/SiO2界面和氧化层中产生带电中心（包括界面态和陷阱），影响电路的可靠性。利......
提出一种新型的PMOS选择分裂位线NOR结构快闪存贮器，具有高编程速度，低编程电压，低功耗，高访问速度和高可靠性等优点。该结构采用源极......
提出了一种在源区形成感应PN结的隧穿场效应晶体管,利用Silvaco TCAD对器件的工作原理进行了验证,并仿真分析了器件的静态电学特性......
在摩尔定律的指导下,微处理器的集成度不断提高,推动了逻辑开关器件的发展。而在逻辑开关器件中,隧穿场效应晶体管(TFET)突破了金......
随着传统MOSFET器件特征尺寸不断的缩小,芯片集成度逐渐提高,器件短沟道效应变得越来越明显,导致器件关断时泄漏电流显著增大,功耗......
隧道场效应晶体管(TFET)由于其独特的带带隧穿原理而成为超低功耗设计中有力的候选者。传统MOSFET在室温下的亚阈值摆幅因载流子漂......
基于带带隧穿原理,提出一种具有双向开关特性的隧穿场效应晶体管。不同于传统隧穿晶体管的PIN结构,新结构具有双向导通性,源漏区可......
提出一种基于深肖特基势垒辅助栅控制的隧穿场效应晶体管,分析肖特基势垒高度对该器件的影响。该TFET的势垒比传统肖特基势垒晶体......
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传统的隧穿晶体管由于自身结构的不对称性使其只有单向电流通路,造成了电路设计的诸多不便.以改善这一缺陷为目的,设计了一种新型......
本文研究了90nm CMOS工艺下栅氧化层厚度为1.4 nm沟道长度为100 nm的轻掺杂漏（LDD）nMOSFET栅电压VG对栅致漏极泄漏（GIDL）电流ID的影响,......
期刊
随着MOSFET尺寸缩小至纳米尺度,已经接近其物理极限,尺寸缩小带来工艺成本增加、可靠性退化及功耗上升等问题已成为限制集成电路进......
随着金属-氧化物-半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor, MOSFET)栅长缩小到45nm以下,受载流子......
FL ASH在擦操作的过程中 ,带带隧穿产生的空穴注入将会在 Si O2 / Si O2 界面和氧化层中产生带电中心 (包括界面态和陷阱 ) ,影响......
