电子拉曼散射相关论文
在本文中我们首次报道了p型掺杂的自组织Si/Ge量子点中空穴能级子带间的电子拉曼散射,此电子跃迁的能量为105meV.Si/Ge量子点Ge-Ge......
铜氧化物高温超导体反常物理性质的研究一直都是高温超导机理研究的中心课题,本文在t-J模型、fermion-spin理论以及BCS理论的框架......
碳化硅具有优越的材料性能，在高温、高频、大功率器件和集成电路制造领域有广阔的应用前景，是近年来国际半导体领域研究的热点之一。......
本文第一部分研究了电子型掺杂和空穴型掺杂铜氧化物高温超导体中的电子拉曼散射理论,包括以下两个工作:
(1)在电子型掺杂高......
研究了利用离子注入法得到的掺氮n-SiC拉曼光谱.理论线形分析表明,与4H-SiC相比,6H-SiC中LO声子等离子体激元耦合模(LOPC模)拉曼位......
在本文中我们首次报道了p型掺杂的自组织Si／Ge量子点中空穴能级子带间的电子拉曼散射。此电子跃迁的能量为105meV。Si／Ge量子点Ge-Ge......
<正>单壁碳纳米管自从1993年被发现[1]以来引起了广泛的研究兴趣,在纳电子器件、光伏器件、生物医药等领域具有潜在的应用前景。光......
本文介绍了一种低温极化电子拉曼散射系统的组成、结构、用法及成果。拉曼散射是一种常见的非弹性光散射现象。通过检测散射光谱，可......
