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当栅控二极管处于正向小偏压时,与界面或者体陷阱有关的产生-复合(R-G)电流贡献将超过扩散电流成为总电流主要的组成部分.通过对栅......
提出了用复合栅控二极管新技术提取MOS/SOI器件界面陷阱沿沟道横向分布的原理,给出了具体的测试步骤和方法.在此基础上,对具有体接......
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