R-G电流相关论文
报道了正向栅控二极管 R- G电流法表征 F- N电应力诱生的 SOI- MOSFET界面陷阱的实验及其结果 .通过体接触的方式实现了实验要求的......
使用半导体器件数值分析工具 DESSISE- ISE,对侧向的 P+ P- N+栅控二极管的正向 R- G电流对 SOI体陷阱特征和硅膜结构的依赖性进行......
当栅控二极管处于正向小偏压时,与界面或者体陷阱有关的产生-复合(R-G)电流贡献将超过扩散电流成为总电流主要的组成部分.通过对栅......
本文完成了热载流子诱生MOSFET/SOI界面陷阱正向栅控二极管技术表征的实验研究 .正向栅控二极管技术简单、准确 ,可以直接测得热载......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
期刊
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
报道了正向栅控二极管R-G电流法表征F-N电应力诱生的SOI-MOSFET界面陷阱的实验及其结果．通过体接触的方式实现了实验要求的SOI-MOSF......
Forward gated-diode Recombination-Generation(R-G) current method is applied to an NMOSFET/SOI to measure the stress-indu......
通过数值模拟手段，用归一化的方法研究了界面陷阱、硅膜厚度和沟道掺杂浓度对R－G电流大小的影响规律。结果表明：无论在FD还是在PD SO......
使用半导体器件数值分析工具DESSISE－ISE，对正向栅控二极管R－G电流表征NMOSFET沟道pocket或halo注入区进行了详尽的研究，数值分析表明，......
使用半导体器件数值分析工具DESSISE－ISE，对侧向的P^+P^-N^+栅控二极管的正向R－G电流对SOI体陷阱特征和硅膜结构的依赖性进行了详尽的......
