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直接键合硅片相关论文
直接键合硅片界面键合能的理论分析
直接键合片界面的键合能依赖于界面成键的密度,是退火温度和时间的函数,界面反应激活能决定着成键的行为,硅片硅合能随退火温度分两步......
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键合能
激活能
直接键合硅片
bonding energy
activation energy
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